广芯微RISC-V PD芯片典型应用案例

前言

USB-IF协会于2021年6月推出USB PD3.1标准，扩展了EPR功率范围，最高充电电压提升至48V，充电功率也从之前的100W提升至140W，并搭配全新的消息定义及更严谨的消息交互协议，提供更安全且高功率的充电，扩展使用范围，极大地提升了PD标准的适用场景。

广芯微电子针对PD3.1开发场景推出了UM3506系列RISC-V架构DRP双向快充芯片。该产品全面支持PD3.1 SRC, SNK 及双向DRP功能，其中包括SPR下的PPS可编程电压模式和EPR下的AVS动态电压模式，同时还支持EPR线缆中PD 3.1 EMARK模式。

文中产品案例不分先后，按英文首字母顺序排列。

广芯微UM3506

Unicmicro广芯微UM3506系列产品采用软硬结合的灵活可编程架构，芯片内部采用TCPM/TCPC分层架构，集成了一个原生的TCPC-like前端模块，包括用于Type-C接口检测与控制的数字逻辑和模拟电路，PD PHY层的分组BMC编解码以及PD协议层中对时序有严格要求的关键功能。同时内置高性能32位MCU微处理器内核和大容量Flash闪存、SRAM存储器及增强的外设接口和丰富的系统资源。

广芯微UM3506芯片致力于打造开放平台和差异化应用的设计理念，设计人员可以更合理有效地利用芯片上MCU的资源，简化差异化应用软件的设计，缩短系统开发时间，同时更好地保证系统的实时性和可靠性，完美实现PD+MCU的应用开发。

UM3506家族共有多个封装尺寸，分别是QFN32、QFN24，适用于工程师根据PCB大小布局进行方案开发设计。充电头网向广芯微了解到，UM3506系列采用了当下关注度相当高的RISC-V架构，这也是业界率先将RISC-V与USB PD3.1相结合的快充芯片。

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文章来源：http://www.xinwulian.net/2023/1011/1074.shtml