中国技术再次实现突破！全球最先进的 3D NAND 存储芯片被发现

芯物联 10 月 25 日消息，知名半导体行业观察机构 TechInsights 称，在一款消费电子产品中发现了世界上最先进的 3D NAND 存储芯片，它来自中国顶级的 3D NAND 制造商长江存储。

据悉，TechInsights 在 2023 年 7 月推出的致态 SSD 中发现了由长江存储制造的 232 层 QLC 3D NAND 芯片，这种新的 QLC 芯片具有 19.8 Gb/mm2 的商用 NAND 产品中最高的比特密度。

本次的发现，超越了同样在开发 232 层 QLC 3D NAND 芯片的美光和英特尔 ( Solidigm ) 。

长江存储 232L QLC 芯片

致态 Ti600 1TB 固态硬盘

TechInsights 表示，尽管受到制裁后困难重重——包括该公司受限于向苹果供应基于中国生产的 iPhone 零部件，以及被列入美国的实体名单， 但长江存储仍在静静地开发最先进的技术。

近期存储市场的低迷，以及许多内存制造商专注于节省成本的举措，可能为长江存储提供了机遇，使其具有领先的更高比特密度的 3D Xtacking NAND。

值得注意的是，三星目前的战略是专注于 V9 3D NAND 的 TLC 和 QLC，因此没有在 236 层 ( V8 ) 3D NAND 上开发 QLC。

但是，三星在上周举行的 " 内存技术日 " 上，首次公开了面向移动市场的 QLC 产品——采用 176 层 ( V7 ) 技术的 512GB UFS 3.1 产品。

SK 海力士的主要业务是 TLC，而不是 QLC 产品。

越来越多的证据表明，中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。

此前，TechInsights 是首批拆解华为 Mate 60 Pro 的机构，在拆解完之后，TechInsights 副主席 Dan Hutcheson 给出了如下评价：

" 这确实是一个令人惊叹的质量水平，是我们始料未及的，它肯定是世界一流的。因此，我们要祝贺中国，能够制造出这样的产品。这意味中国拥有非常强大的能力，而且还在继续发展技术。"

责任编辑：

文章来源：http://www.xinwulian.net/2023/1026/1198.shtml