台积电取得集成芯片专利，实现上覆于半导体衬底的内连线结构

芯物联2023年12月11日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成芯片“的专利，授权公告号CN220149225U，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，本实用新型的实施例提供一种包括上覆于半导体衬底的内连线结构的集成芯片。上部介电结构上覆于内连线结构。微机电系统衬底上覆于上部介电结构。在微机电系统衬底和上部介电结构之间定义出空腔。微机电系统衬底包括在空腔上方的可移动膜。空腔电极设置在上部介电结构中并位于空腔下方。多个止挡结构设置在可移动膜和空腔电极之间的空腔中。沿空腔电极的顶面设置介电保护层。介电保护层具有比上部介电结构更大的介电常数。

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