台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片，功耗仅为类似技术的1%

台湾《经济日报》消息，台积电在次世代MRAM内存相关技术传捷报，与工研院共同开发出自旋轨道转矩磁性内存（SOT-MRAM）阵列芯片，搭配创新的运算构架，功耗仅其他类似技术的1%，为台积电抢攻AI、高效能运算（HPC）等当红商机增添动能。（界面新闻）

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