芯片制造业计算负载提速 40-60 倍，台积电部署英伟达cuLitho平台

芯物联3 月 19 日消息，英伟达今天发布新闻稿，宣布台积电和新思科技（Synopsys）正推进部署使用英伟达的计算光刻平台，以加速制造并推动下一代先进半导体芯片的物理极限。

图源：英伟达

台积电和新思科技已决定在其软件、制造工艺和系统中集成英伟达的cuLitho计算光刻平台，加快芯片制造速度，并在未来支持最新一代英伟达 Blackwell 架构 GPU。

黄仁勋在 GTC 开发者大会上表示：“计算光刻技术是芯片制造的基石。我们与台积电、Synopsys 合作开发的cuLitho应用了加速计算和生成式人工智能，为半导体规模化开辟了新的领域。”

英伟达还推出了全新的生成式人工智能算法，增强了用于 GPU 加速计算光刻技术的库cuLitho，相比较目前基于 CPU 的方法，显著改善了半导体制造工艺。

IT之家注：半导体制造过程中，计算光刻是最密集的工作负载，每年耗费 CPU 数百亿小时。

芯片生产的关键步骤之一，就是需要耗费 3000 万小时的 CPU 时间来计算典型的掩模集，因此半导体代工厂通常会建立大型数据中心。

英伟达表示 350 个英伟达 H100 系统现在可以取代 40,000 个 CPU 系统，从而加快了生产时间，同时降低了成本、空间和功耗。

英伟达表示cuLitho的优势已经在台积电生产过程中显现，两家公司共同实现了曲线流程速度（curvilinear flows）提高 45 倍，传统的曼哈顿式流程（traditional Manhattan-style flows）提高近 60 倍。

英伟达开发了应用生成式人工智能的算法，以进一步提升cuLitho平台的价值。在通过cuLitho实现的加速流程基础上，新的生成式人工智能工作流程还能额外提高 2 倍的速度。

通过应用生成式人工智能，可以创建近乎完美的反向掩膜或反向解决方案，以考虑光的衍射。然后通过传统的严格物理方法得出最终光罩，从而将整个光学近似校正（OPC）流程的速度提高了两倍。

目前，晶圆厂工艺中的许多变化都需要修改 OPC，从而增加了所需的计算量，并在晶圆厂开发周期中造成了瓶颈。cuLitho提供的加速计算和生成式人工智能可减轻这些成本和瓶颈，使工厂能够分配可用的计算能力和工程带宽，在开发 2 纳米及更先进的新技术时设计出更多新颖的解决方案。

责任编辑：

文章来源：http://www.xinwulian.net/news/2024/0319/2714.shtml