台积电获美国芯片法案66亿美元补贴，将在美投建2纳米工厂

当地时间4月8日凌晨，美国商务部发布公告声明，计划向台积电提供66亿美元的直接资金补贴，并提供高达50亿美元的低成本政府贷款，用于其在亚利桑那州凤凰城建设先进半导体工厂。

此前，台积电一直在如火如荼兴建亚利桑那州晶圆一、二厂。如今补贴正式公布后，公司也透露将在当地设立第三座晶圆厂，预计将导入2纳米芯片制程工艺，计划在2028年开始生产。

据商务部介绍，算上美国政府的补贴，台积电计划为其亚利桑那州的三座晶圆厂投资超650亿美元。这其中既包括包括公司先前已宣布投资的400亿美元，又有此次最新追加的250亿美元，后者主要用于第三座晶圆厂的建设经费上。650亿美元的总金额也是美国历史上用于新项目建设的最大一笔外国投资。

台积电是美国政府自2022年通过《芯片与科学法案》（以下简称“芯片法案”）以来公开补贴的第五家公司，也是截至目前唯一的国外公司。在它之前的四家公司均为美国本土半导体厂商，分别是一家军工企业贝宜陆上和武器系统公司（BAE Systems）、成熟制程芯片制造商微芯科技，以及另外两家芯片巨头格芯与英特尔，分别已获得芯片法案补贴3500万美元、1.62亿美元、15亿美元与85亿美元。

按照美国为芯片法案设定的目标，美国政府将通过提供高达527亿美元的资金补贴，以及贷款、税收减免等一揽子计划，保证“到2030年年末全球20%的尖端芯片在美国国内制造”。目前美国在这一领域的比例仅为10%。

作为全球排名第一的芯片制造商，台积电掌握着全球近六成以上的先进制程芯片代工订单，将近有70%的客户来自美国。按照先前公司在财报会议上的声明，亚利桑那州工厂大部分产品主要供应美国客户，因此吸引台积电赴美建厂是决定芯片法案成败的关键举措。

在芯片法案推出前，台积电的生产基地多年扎根台湾。根据官网信息，台积电目前共有12座已建成运营的晶圆厂，其中就有9座位于台湾，且几乎包揽了7nm以下先进制程芯片的产能。除位于中国大陆南京的一座12英寸晶圆厂承担12纳米到28纳米的成熟制程芯片外，台积电另外一家位于美国华盛顿的8英寸晶圆厂过往仅作产能补充，对其产能影响不大。也正因为有了台积电的存在，台湾也成了全球半导体产业的高地，长期在劳动力、技术及配套资源上拥有独特的地域优势。

芯片法案推出后，美国、欧洲、日本各地要求建立本土供应链、将最先进的芯片晶圆厂建在国内的呼声越来越高，台积电也不得不走出“舒适区”踏上海外建厂之路，这其中就包括美国亚利桑那州正在投资建设的三座晶圆厂，列入欧州芯片补贴计划中在德国德累斯顿郡投建的一座合资厂，以及接受日本政府芯片拨款补贴在熊本县投建的第一、第二座晶圆厂。

新建工厂也越来越多地承担其先进制程芯片的生产任务。以美国所建新厂为例，根据介绍，台积电按照最新补贴计划在亚利桑那州建设的第三座晶圆厂将引入2纳米芯片制程技术，这是内部处于研发阶段最先进的芯片，据公司介绍将于2028年量产。该州的第一、第二座晶圆厂则分别负责生产4纳米、3纳米的制程芯片，按照规划这批先进芯片未来将主要用于5G/6G智能手机、自动驾驶汽车和人工智能数据中心服务器等重要场景。

走出舒适区也意味着需要直面各种各样的现实考验。根据《华尔街日报》在内的多家媒体报道，由于缺乏熟练的劳动力以及美国当地建厂施工成本过高等原因，台积电位于亚利桑那州的两座工厂破土动工后“水土不服”，工程受阻。第一座工厂投产时间将从原计划的2024年底推迟至2025年，第二座工厂工期也顺序延宕，量产时间推迟到2027年或2028年。随着第三座厂如今被提上日程，到时台积电能否如期完工倍受外界关注。

受芯片法案补贴消息的影响，台积电美股4月8日盘前跳涨2.7%，截至发稿前最新股价上涨超2%。

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