部分存储芯片价格出现反弹 AI芯片需求推动先进工艺发展

经历漫长的下行周期之后，存储芯片市场价格止跌，部分型号存储芯片价格出现反弹。存储芯片周期拐点何时到来？产业发展有何新趋势？

11月8日，在深圳举行的2024年存储产业趋势研讨会上，集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示：“下游整体需求正在缓步复苏，其中AI（人工智能）服务器等领域的需求增长领先，各个下游领域整体需求将缓步回升到正增长轨道。未来5年到10年，人工智能会渐渐渗透到我们每个人的生活之中，带来巨大的存储芯片需求。”

多名接受《证券日报》记者采访的业内人士表示，缩小与海外原厂以及存储模组头部厂商的差距，加速技术突破、强化品牌建设是当前国内存储模组厂商的重要命题。在市场疲软期，我国兆易创新、澜起科技、时创意等一批存储企业紧跟前沿技术发展趋势，积极进行研发创新，丰富产品线，有利于把握产业周期拐点带来的机遇，实现进一步发展。

“过山车”行情之后春天即将到来

存储芯片市场价格的反弹信号，让行业人士看到“曙光”。在2024年存储产业趋势研讨会上，集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷表示：“2023年，原厂产能策略步调一致，均以去库存为目标。目前实际生产量已经低于需求，预计第四季度库存去化将加速。展望明年，供需将逐步走向平衡，带动价格缓步上涨。”

国家专精特新“小巨人”企业时创意董事长倪黄忠在接受《证券日报》记者采访时表示：“近2年来，全球存储芯片产业经历了过山车行情，从2021年的缺货，供不应求，到2022年的产能过剩，2023年第三季度开始出现反转信号，存储芯片春天即将到来。”

进入第四季度，多个型号的存储芯片呈现涨价之势。根据集邦咨询最新研究数据，今年第四季Mobile DRAM（移动动态随机存取存储器）合约价季涨幅预估将扩大至13%至18%。NAND Flash（闪存存储器）方面，eMMC（嵌入式多媒体存储芯片）、UFS（通用闪存存储芯片）第四季合约价涨幅约10%至15%；由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM（动态随机存取存储器）产品低，因此成为本次的领涨项目。

存储赛道上市公司对周期的研判也备受关注。存储芯片头部企业兆易创新加大去库存的力度，近几个季度以来存货呈逐步下降的趋势。

近日，兆易创新在接受机构调研时表示：“大存储在今年第三季度已经达到了价格的底部区间。在今年三季度末大存储出现一些价格反弹，此反弹对利基存储有一定的带动效应，利基存储价格也在筑底并有微弱反弹。明年大存储的价格有望延续反弹的走势，但也不太会出现暴涨暴跌的情况；利基型DRAM也会随着大存储反弹的走势，延续微弱反弹的趋势。具体供需关系还要看明年需求的恢复情况以及主流厂商减产的持续时间。”

　设计封装技术升级成发展趋势

今年以来，人工智能浪潮席卷全球，催生新的市场需求的同时，对硬件设计、封装制造等也提出了更高要求，存储赛道企业面临重新洗牌。

郭祚荣向《证券日报》记者表示：“原本主要由手机芯片占据先进工艺产线，将因人工智能芯片需求的崛起而发生变化，自研芯片或将向ASIC（专用集成电路）方向发展，我们每个人的生活也将因人工智能芯片逐步导入市场而发生巨大的变革。”

近一年来，时创意实现核心技术工艺突破，公司推出第二代Flip Chip先进封装工艺，实现能耗更低、成本更低、稳定性更高。公司积极布局UFS，目前已拥有UFS升级产线，自研自造的512GB UFS3.1产品在国内率先实现量产。

倪黄忠向《证券日报》记者表示：“公司进入存储芯片产业十年，在行业里还是较为年轻的公司，公司不断从技术产品创新、企业智能应用、人才资源汇聚三个维度修炼内功，今年以来研发投入力度加大，人才方面增加了100多名工程师，未来公司将在NAND Flash和DRAM领域继续研发创新，推动行业向前发展。”

今年以来，在行业低谷期，时创意快速完成了A、B两轮战略融资。5月份完成2.8亿元战略A轮融资，近日又宣布完成超3.4亿元B轮融资，此轮融资由国内消费电子领域头部企业领投，资金将用于技术研发，扩产与流动资金补充等。

兆易创新前瞻性地识别高潜力产品方向，战略性建立先发优势。持续完善产品线，升级产品结构。过去几年兆易创新DRAM业务处于从无到有开展技术研发的过程，经过努力DDR4实现量产。兆易创新方面表示：“DDR3在2023年基本完成功能验证和客户导入的工作，目前处于良率提升和起量爬坡阶段，有望在2024年为公司贡献更多营收。公司也在积极开展8GbDDR4等其他利基型DRAM产品研发，希望补齐整个标准接口利基型DRAM产品线，有效支撑公司DRAM业务发展，满足客户需求。”

深科技近日在接受机构调研时表示：“bumping和FC工艺是进一步发展先进封装的必要条件，目前公司bumping产线已经完成工艺技术的准备以及生产管理系统的完善，并且产品良率已达到可以量产的水准。”

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