东芯半导体荣获芯片技术突破奖，助力物联网终端安全

据东芯半导体消息，在2025年12月19日于深圳金茂JW万豪酒店举行的OFweek物联网产业大会上，东芯半导体股份有限公司荣获芯片技术突破奖，并展示了其低功耗、高可靠存储产品，为物联网终端保驾护航。

东芯半导体获奖的SPI NOR Flash产品采用40℃-125℃宽温设计，攻克车规级高可靠性难题，契合物联网大容量、小体积需求，覆盖多场景应用。公司市场经理王竑蒝在会上以《低功耗、高可靠存储产品为物联网终端保驾护航》为题进行演讲，强调存储芯片在物联网系统中的关键作用：感知层负责数据临时存储和本地保存，传输层保障数据可靠性和效率，应用层覆盖多样化场景，存储芯片需适配终端多样性。

作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主知识产权，聚焦中小容量NAND/NOR/DRAM芯片研发，是国内少数可同时提供设计工艺和产品方案的存储芯片公司。其产品包括SLC NAND Flash和NOR Flash，多料号通过AEC-Q100验证，适用于车规级环境；1xnm NAND Flash和48nm NOR Flash工艺实现国内技术突破。公司持续创新，构建多样化产品结构，打造“本土深度、全球广度”的供应链体系，为物联网提供高效可靠解决方案。

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