三星打破HBM全自产，英伟达定制款基板交给台积电3纳米

内存芯片最下面那一层，正在决定英伟达下一代人工智能加速器跑多快。为了让这一层提速，韩国三星电子打破了自己多年坚持的做法——把它交给外部代工厂来做，而且用的是竞争对手的产线。

韩国媒体10月18日报道称，英伟达今年8月公开自研定制高带宽内存后，把生产任务交给了三星电子、SK海力士与美光三家存储企业，并提出两项统一要求：内存最底层的「基板」必须采用台积电3纳米工艺制造，核心存储芯片统一使用第六代动态随机存取存储器工艺。

基板位于高带宽内存最下面一层，由逻辑电路构成，决定数据在内存与图形处理器之间的传输速度。英伟达定制款把原本放在图形处理器上的内存控制器搬到了这一层，腾出的空间用来增加运算电路；为给控制器让位，它与外部芯片交换电信号的物理层面积，比标准高带宽内存缩小了六成。

在这类产品上，三星电子过去一直是「一条龙」——核心存储芯片和基板全部自己生产，台积电只在其后段的封装环节与三星有过兼容性合作。从内存制造环节开始与台积电合作，对三星来说

据报道，三星电子设备解决方案部门在内部审查后决定接受英伟达的要求。不过在标准高带宽内存上，它仍将保持一条龙模式：今年年初

全球最先量产的第六代产品，以及正在做量产验证的第七代产品，基板都用自家代工的4纳米工

促使三星改变做法的，是人工智能芯片同时撞上了性能与供给两堵墙。高带宽内存的数据传输速度跟不上图形处理器的运算速度，英伟达的定制方案希望借台积电的先进逻辑工艺把速度拉上去，同时用台积电的产能扩大供应。韩媒称，台积电被选中的原因之一，是其代工良率达到九成。

需求一侧的压力同样明显。业内预计，明年高带宽内存的需求将增长约九成，而生产这类内存要占用大量先进制程晶圆与设备，通用存储芯片的供应因此被挤紧。

三星电子也给自己留了后手。据业内人士透露，它同时在验证能否用自家代工产线制造这款定制内存的基板，以应对未来需求超过台积电产能的情况；对其他客户的定制高带宽内存，它仍坚持

这一变化背后，是半导体产业重心在向人工智能与高性能计算迁移。三星电子代工业务中，高性能计算所占比重已从2017年独立时的5%升至今年的28%，公司计划到2029年提高到66%。

对三星电子来说，接受对手的工艺，是在标准产品上守住自己的体系、在定制产品上换取性能与产能；对英伟达来说，统一基板工艺能让不同供应商的产品表现更一致，也省去分别验证的麻烦。

有韩媒在报道中把这次合作形容为「与对手同床」：存储企业各自决定制造方式的时代正在改变，客户开始直接指定每一个环节的工艺。

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文章来源：http://www.xinwulian.net/news/2026/1021/3759.shtml