长鑫DRAM份额翻倍，长江NAND跻身全球第三

韩国咨询机构三一普华永道近日发布报告指出，长鑫存储与长江存储的快速发展正引发韩国半导体产业的焦虑。报告建议三星电子与SK海力士在通用存储领域强化成本竞争力，同时加大高带宽存储器等尖端领域投入。据Counterpoint Research数据，2026年第二季度，长鑫存储在全球DRAM营收中份额达10%，较上年同期的4%翻倍，稳居全球第四。长江存储NAND出货量首次跻身全球第三，营收份额升至14%。

SK集团董事长崔泰源此前公开表示，若中国厂商或美光加快扩产，韩国厂商份额面临下滑风险。他同时质疑出口管制的效力，指出国产厂商在技术限制下仍实现稳步推进。为应对压力，三星正改造西安工厂生产V9 NAND，SK海力士计划在大连工厂生产高阶NAND，但因设备管制，升级进程存在不确定性。

三一普华永道报告强调，中国在HBM及先进封装领域仍处追赶阶段，客户验证与高良率量产是核心壁垒。长鑫存储宣布将在年底前推出基于4F2架构的服务器DDR5 RDIMM内存，该架构相比主流6F2架构可提升单位面积存储密度30%至50%。此技术路线同样出现在三星与SK海力士的开发计划中。

存储芯片行业的竞争重心正由通用市场向下一代技术架构转移，技术迭代速度成为企业维持利润空间的关键变量。

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文章来源：http://www.xinwulian.net/2026/1027/3951.shtml