全球首座12英寸氮化镓工厂宣布开建 总投资超80亿元

昨日（10月27日），英飞凌又在氮化硅领域迈出重磅一步——宣布建立全球首座12英寸氮化镓大规模量产晶圆厂。

据英飞凌官网消息，该项目总投资额为11亿欧元（约合人民币81.6亿元），投资周期持续至2034年，旨在应对高性能电源解决方案快速增长的需求。

预计2027年年底实现投产

据“行家说三代半”此前报道，2024年9月，英飞凌开发出首款12英寸氮化镓晶圆，具体是在奥地利菲拉赫（Villach）功率工厂中，成功利用当时现有的12英寸硅基半导体生产线，在一条集成试验线上制造出了12英寸氮化镓晶圆。

而本次超11亿欧元投资亦将用于奥地利菲拉赫工厂，第一步是依托菲拉赫现有的洁净室设施，将升级后的生产能力与成熟的运营相结合，实现高效产能与低成本扩张，英飞凌方面提到，改线项目预计2027年底即可投产，这也意味着，英飞凌全新的12英寸氮化镓晶圆产线将在2034年前建成。

随着英飞凌12英寸氮化镓大规模量产晶圆厂的宣布建立，英飞凌也将成为全球首家将氮化镓功率器件推入规模量产的公司。

值得一提的是，正如英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck所提到，“这笔重大投资体现了公司对加强欧洲半导体生态系统和欧洲技术主权的明确承诺。”该项目同样受到来自政策层面的大力支持，对此欧盟委员会已批准奥地利国家援助3.19亿欧元（约合人民币23.67亿元），用于支持英飞凌开展12英寸氮化镓规模量产。

在奥地利联邦经济事务部长沃尔夫冈·哈特曼斯多夫看来，芯片对明天经济的重要性，就像石油对昨天经济一样重要，其提到目前欧洲仅占全球芯片产量的约10%，所以必须在欧洲制造这项关键技术。

参照《欧洲芯片法案》相关内容，他们共设有430亿欧元（约合人民币 3203.46亿元），用于加强欧洲的技术主权和全球供应链韧性，目标是到2030年将欧洲在全球半导体生产中的份额提高到20%。

英飞凌表示，他们之所以斥巨资投建12英寸氮化镓产线，是因为看到了氮化镓未来巨大的商业化前景。

据其预测，2031年全球功率氮化镓市场规模预计可达35亿美元（约合人民币 235.08亿元），较2025年增6倍。而12英寸晶圆相比8英寸可使芯片产出提升2.3倍，显著降低系统成本与能耗，成为推动GaN从“技术可行”走向“规模替代”的关键杠杆。

英飞凌作为GaN功率电子领域的全球牵头者，自两年前成功加工出全球首批12英寸GaN晶圆实现技术里程碑以来，始终对GaN市场前景保持积极判断，并坚定沿着“更大尺寸、更低成本、更快量产”的技术路线推进。

回望英飞凌的12英寸氮化镓进程，从2024年9月开发首款产品，2025年7月宣布可扩展生产步入正轨，并于同年四季度向客户交付首批样品，到2026年3月在CoolGaN™ G5系列实现产品端落地，再到最新的官宣投建全球首条12英寸氮化镓高量产线。从技术突破走到量产工厂落地，英飞凌仅用两年出头，推进节奏堪称行业范本。

不过，在12英寸量产线落地前，当前英飞凌的氮化镓出货主力仍是8英寸，主要集中在两条内部产线上：

马来西亚居林 Kulim 3（KLM3）：2024年8月一期投产，投资约20亿欧元（约合人民币149亿元），定位宽禁带（SiC+GaN）前端厂，官方明确“生产SiC功率半导体并涵盖GaN外延”；二期规划最高再投50亿欧元（约合人民币372.5亿元），目标建成全球最大、最高效的8英寸宽禁带功率厂。

奥地利菲拉赫：既有12英寸硅功率厂内嵌8英寸GaN能力，同时与居林组成拟协同工厂，双厂共享工艺平台与良率数据。

随着氮化镓技术从快充、适配器等消费类市场，扩展到大功率电力电子领域，英飞凌于氮化镓领域的合作版图也在持续铺开，覆盖AI数据中心、消费电子、车规OBC、DC-DC 辅助电源等。

英飞凌与英伟达最早于2025年5月官宣800V直流数据中心供电合作，首期项目同时覆盖碳化硅与氮化镓两条技术路线。

今年10月，柏林GTC大会上进一步深化，将扩大在AI数据中心供电领域合作，基于氮化镓功率器件，联合开发适配800V直流架构的高压中间总线转换器方案，据悉该规划将于2027年起部署。

2026年3月，群光电能采用英飞凌CoolGaN™ G5为一线笔记本品牌开发100–300W适配器，利用氮化镓高频特性压缩PFC/DC-DC体积、降低待机损耗。

2026年2月，Enphase在其IQ9光伏微逆中采用650V CoolGaN™双向开关；

2026年10月，双方进一步合作推出全球首颗900V CoolGaN™ BDS双向开关，用于AI数据中心固态变压器，将GaN从光伏场景延伸至数据中心供电基础设施。目前新的900V GaN双向开关器件已成功通过测试，正被集成到Enphase的IQ SST产品开发中，预计后续将进行量产认证。

2026年6月，BRC Solar采用英飞凌100V CoolGaN™，用于组件级功率优化器，以氮化镓的高频优势提升每块光伏面板的发电效率。

2026年4-5月，富特科技新一代高性能车载电源采用英飞凌CoolGaN™车规级GaN功率元器件+AURIX™ TC4x 微控制器，同时覆盖400V与800V高压平台，加速氮化镓在车规OBC与DC-DC中的规模化落地。

基于此前签署的谅解备忘录，2026年零极创新与英飞凌双方持续深化合作，继续推动CoolGaN™ G5功率晶体管在轻型电动车GaN 逆变器系统中的应用，拓展氮化镓在两轮/三轮电驱场景的渗透。

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文章来源：http://www.xinwulian.net/2026/1029/4041.shtml