国内首款12英寸多晶SiC衬底问世，预计2027年后规模化供货

湖南泰坦未来科技有限公司本月宣布推出国内首款12英寸多晶碳化硅衬底，该产品直径约300毫米，主要作为先进封装和高功率器件的高导热支撑基底，旨在解决AI芯片散热瓶颈。据称，该材料在长期依赖进口的高端多晶碳化硅领域实现了突破，填补了国内行业空白。

在性能指标方面，该衬底沉积速度达每小时60微米，高于国内外同行10至20微米的水平；最低电阻率小于1毫欧·厘米，优于国外同行约10毫欧·厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个。官方介绍称，产品依托气相沉积等自研核心技术，实现≥300W/(m·K)的超高热导率，具备优异的热学性能与结构稳定性。

目前，该产品已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。项目处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计2027年后逐步规模化供货。该公司计划于2026年投资新建产业基地，全面投产后年产能可达20万片半导体用高性能碳化硅及碳化钽涂层产品。

大尺寸多晶碳化硅衬底作为半导体产业链中的关键基础材料，其国产化进程对于提升先进封装良率及降低整体制造成本具有积极的产业意义。

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文章来源：http://www.xinwulian.net/2026/1030/4062.shtml