矽容微电子申请HBM内存缺陷检测系统专利

国家知识产权局信息显示，四川矽容微电子科技有限公司申请一项名为“一种HBM内存缺陷检测系统及其检测方法”的专利，公开号CN123046642A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请涉及内存芯片检测技术领域，具体而言，涉及一种HBM内存缺陷检测系统，包括：架体；上移动云台，活动设置于架体上，至少包括竖直方向的移动度；检测电路板，固定设置于上移动云台上，检测电路板上设置有与HBM内存对应的探针矩阵，探针矩阵位于检测电路板的下表面，探针矩阵上探针的排列方式与HBM内存上微焊点的排列方式相同；由此，在出现探针与微焊点错位时，利用加热装置对承载块的分区加热所产生的热胀冷缩形变，对承载于其上的待测HBM内存的空间位置进行精细调整，从而以更高的精度实现探针与微焊点的精准对准，确保每一条数据线均能获得有效检测，满足缺陷HBM芯片再利用方案对数据线通断状态严格、完整获取的需求。

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文章来源：http://www.xinwulian.net/2026/1109/4205.shtml