佳能计划2029年前将后端光刻机产能提升50%

佳能计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前提升50%。该公司正开发用于先进封装的i线光刻设备，新型FPA-8000iW机型支持510×515mm大尺寸基板，分辨率达0.8μm，具备高对准精度与大视场角。