进度远超预想，国产光刻机或将于年内突破芯片7nm制程量产难关

8月2日，据《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。据悉，上海微电子在之前90nm的基础上，即将量产28nm immersion式光刻机，在2023年交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。

3纳米芯片测试成功，国产芯片抓住机会突破，外媒：中国芯崛起了

中国一家芯片企业表示他们测试的3纳米芯片已获得成功，显示出国产芯片不畏艰险，积极抓住现有的芯片基础，先行突破有机会推进的技术，最终实现从点突破再到面突破。 据悉广东利扬公司已成功实现3纳米芯片的