三星将与台积电合作生产HBM 采用第六代DRAM技术

10月19日，据媒体报道，三星电子将首次与台积电在高带宽内存（HBM）制造阶段展开合作，采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代定制高带宽内存HBM的基础芯片。据了解，英伟达此前已要求三星、SK海力士、……