三星
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三星出售8英寸晶圆代工设备2030年彻底退出该赛道
三星电子与东部高科最近签署约300台半导体制造设备转让合同，将器兴8英寸代工厂S7的半导体制造设备转让给东部高科。此次设备出售源于三星电子退出8英寸代工业务。三星电子今年年初决定关闭韩江三座8英寸工厂……
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三星被曝2030年底前退出8英寸晶圆代工
三星电子正计划在2030年底前全面退出8英寸（200mm）晶圆代工业务。这一决定在韩国本土半导体产业链中引发震动，大批韩国IC设计业者正急寻替代产能。8英寸晶圆主要承载电源管理芯片、显示驱动IC、微控……
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三星AI智能眼镜定档12月中旬，首发美韩市场
三星首款AI智能眼镜“Intelligent Eyewear”已确定发售窗口，计划于12月中旬在韩国与美国市场率先上市，而中国、欧洲与日本地区预计需等待至2027年。该产品定位为以日常佩戴和AI交互为……
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李在镕赴横滨APL考察先进封装材料与工艺合作进展
据三星电子消息，会长李在镕近日前往位于日本横滨的先进封装实验室（APL）进行考察。这是该实验室自9月8日正式启用约两个月以来，李在镕首次到现场检查。考察期间，他与研究人员共同查看了先进封装材料与工艺要……
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奥特曼韩晤三星高管，深化存储芯片与AI基建合作
据外媒报道，OpenAI创始人奥尔特曼于周六在韩国会见三星集团高管，双方商讨深化在存储芯片和人工智能基础设施领域的合作。三星在声明中证实，公司在首尔以南的龙仁市接待了奥尔特曼，并安排其与来自三星电子、……
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三星HBM4E计划明年上半年量产下半年爬坡
三星电子在第三季度业绩电话会议上明确了存储业务的中期安排。在DRAM领域，公司将依托技术优势扩大第六代HBM4的销售。对于第七代产品HBM4E，三星计划于明年上半年正式启动量产。这一进度安排旨在顺应存……
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三星晶圆代工推出面向汽车芯片的8LPU+低功耗工艺
三星电子在2026年10月23日正式发布8LPU+代工工艺，升级其成熟深紫外光刻平台，用以抢夺汽车芯片与边缘人工智能芯片订单。该工艺功耗降低15%，逻辑面积缩减8%。作为第二代 8 纳米工艺节点，对比基础版 8L……
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三星要把 HBM4E 的一半交给台积电
据悉，三星电子正将其 HBM4E 高端内存产品约半数订单交由台积电代工生产，这一举措凸显了先进存储芯片制造对成熟制程能力的依赖
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李在镕首次视察三星 RX 机器人事业部，关注 CES 2027 参展技术的研发进展
IT之家 10 月 27 日消息，据韩国《Money Today》今日报道，李在镕近日访问了位于韩国首尔瑞草区牛眠洞的三星电子首尔研发园区，实地视察机器人体验（RX）业务部门。据介绍，三星电子正筹备参加 2027 年 1 月在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展
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三星HBM报价超25%溢价，HBM4价格据称达HBM3E三倍
据业内估算，三星在HBM市场的报价显著高于竞争对手。目前三星HBM报价约为每Gb 4.50美元，而美光约为4美元，SK海力士为3.60至3.80美元，三星的溢价幅度最高可达25%。这一溢价主要源于当前……
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三星2027年内存产能八成被长约锁定 HBM涨幅最高150%
三星2027年内存产能已被长期协议大面积锁定，消费级内存正走向新一轮两位数涨价——韩国投资机构KB证券的最新披露，将AI算力狂潮下存储芯片供应紧张的结构性现实摆上台面。八成产能被长约锁定，数据中心抢食……
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三星海力士升级中国 NAND工厂 长江存储改变竞争格局
一座工厂最尴尬的处境，或许是母公司已经掌握更新的技术，却无法确定何时能把它搬进车间。10月21日，路透社披露，三星计划将西安工厂部分产线升级至286层V9 NAND，SK海力士准备在大连制造240层及以上NAND。
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三星2027年内存产能80%被长约锁死 HBM涨价最高150%
三星2027年内存产能已被长期协议大面积锁定，消费级内存正走向新一轮两位数涨价——韩国投资机构KB证券的最新披露，将AI算力狂潮下存储芯片供应紧张的结构性现实摆上台面。八成产能被长约锁定，数据中心抢食……
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三星美国首条晶圆代工量产线扩产，月产能将达2万片
10月23日，据韩媒消息，三星电子已启动美国泰勒1工厂的后续设备投资，目标是填满现有闲置空间，并在明年下半年将2纳米（nm）工艺产能提升至每月2万片。泰勒1工厂是三星电子在美国的首条晶圆代工量产线。
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三星晶圆代工：4纳米产能拉满5纳米接力拓客2nm谈判进度滞后
据报道，三星4纳米和5纳米工艺的良率相对稳定。由于近期客户订单激增，三星电子晶圆代工业务部门的4纳米工艺产能已接近饱和，公司正加大销售力度，力求为其5纳米工艺争取更多客户。据悉，5纳米工艺还能提高现有生产设施的利用率。
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蔡司韩国新社长：已为三星、SK海力士大型晶圆厂做好准备
近日，蔡司韩国新任负责人亚内·泽胡森表示，面对三星电子、SK海力士在韩国及海外推进的大规模晶圆厂投资，蔡司已提前完成供应链和技术准备，将加强对先进制程及半导体计量需求的支持。蔡司为ASML独家供应高性……
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三星晶圆代工：4纳米产能拉满 5纳米接力拓客 2nm谈判进度滞后
据报道，三星4纳米和5纳米工艺的良率相对稳定。由于近期客户订单激增，三星电子晶圆代工业务部门的4纳米工艺产能已接近饱和，公司正加大销售力度，力求为其5纳米工艺争取更多客户。据悉，5纳米工艺还能提高现有生产设施的利用率。
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三星打破HBM全自产，英伟达定制款基板交给台积电3纳米
内存芯片最下面那一层，正在决定英伟达下一代人工智能加速器跑多快。为了让这一层提速，韩国三星电子打破了自己多年坚持的做法——把它交给外部代工厂来做，而且用的是竞争对手的产线。韩国媒体10月18日报道称，……
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三星将与台积电合作生产HBM 采用第六代DRAM技术
10月19日，据媒体报道，三星电子将首次与台积电在高带宽内存（HBM）制造阶段展开合作，采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代定制高带宽内存HBM的基础芯片。据了解，英伟达此前已要求三星、SK海力士、……
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韩财长喊话半导体景气到2027年！韩媒泼冷水：2029年存储芯片将成红海
据报道，韩国企划财政部部长李炯日近日在曼谷出席IMF与世界银行年会期间接受采访时表示，全球半导体市场强劲增长势头至少延续至2027年，理由是半导体供需缺口仍然巨大，且供给端仍在持续扩张。然而，韩国《每……