中国科学院微电子研究所在片上学习存算一体芯片方面取得重要进展

芯物联2 月 26 日消息，中国科学院微电子研究所发文称，该所刘明院士团队设计了一款基于非易失 / 易失存储融合型的片上学习存算一体宏芯片，并且在 14nm FinFET工艺上验证了具有多值存储能力的 5 晶体管型逻辑闪存单元，编程电压（-25%）与编程时间（-66%）较同类型器件均获得有效降低，相关研究成果已在 ISSCC 2024 国际会议上发表。