初样
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高华科技:SOI原理MEMS压力芯片已完成初样验证,预计2023年年底实现量产
高华科技近期在接受调研时表示,2023年上半年,公司自研的扩散硅原理MEMS压力芯片已实现量产;SOI原理MEMS压力芯片已完成初样验证,并开始进行小批量试制,预计2023年年底实现量产。完成了磁致伸缩位移传感器型谱化、采高传感器、转速传感器等产品研制。
高华科技近期在接受调研时表示,2023年上半年,公司自研的扩散硅原理MEMS压力芯片已实现量产;SOI原理MEMS压力芯片已完成初样验证,并开始进行小批量试制,预计2023年年底实现量产。完成了磁致伸缩位移传感器型谱化、采高传感器、转速传感器等产品研制。