科学家制备2英寸二硫化钼单晶薄膜，推动亚纳米芯片走向实际应用

当前，为了解决芯片微缩瓶颈、以及推进晶体管尺度的进一步微缩，必须寻找全新的沟道材料，从而开发新的器件功能和器件架构。2017 年，作为下一代晶体管沟道材料，二维半导体被纳入国际半导体器件与系统路线图（IRDS，International Roadmap for Devices and Systems）。

科学家制备氧化锌薄膜晶体管环形振荡器，有望被引入先进芯片制造

在南方科技大学，有这样一位外籍老师——李毅达。他出生和成长于新加坡，甚至本科和博士也在那里完成，但他说得一口流利的中文。而且作为一名半导体领域的专家，他还拥有在台积电工作过的经历。