单晶
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无线芯片嵌入单晶金刚石后突破散热瓶颈
钛媒体App 6月10日消息，美国麻省理工学院研究团队给氮化镓芯片嵌入一层超薄单晶金刚石，突破了高功率无线芯片散热瓶颈，并制备出性能创纪录的无线功率放大器，为6G通信、卫星互联网等高功率电子设备提供了新的芯片级热管理方案。
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科学家制备2英寸二硫化钼单晶薄膜，推动亚纳米芯片走向实际应用
当前，为了解决芯片微缩瓶颈、以及推进晶体管尺度的进一步微缩，必须寻找全新的沟道材料，从而开发新的器件功能和器件架构。2017 年，作为下一代晶体管沟道材料，二维半导体被纳入国际半导体器件与系统路线图（IRDS，International Roadmap for Devices and Systems）。