突破
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这家珠海公司宣布硅光芯片取得突破 多家A股公司有间接投资
记者注意到,珠海科技产业集团微信号6月10日晚发文称,其投资企业广东奥斯诺工业有限公司(下称“奥斯诺”)第二代硅光芯片技术取得历史性突破。据称,这款芯片采用异质集成技术,将薄膜铌酸锂集成在硅光芯片上,成功解决了高精度调制难题。
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无线芯片嵌入单晶金刚石后突破散热瓶颈
钛媒体App 6月10日消息,美国麻省理工学院研究团队给氮化镓芯片嵌入一层超薄单晶金刚石,突破了高功率无线芯片散热瓶颈,并制备出性能创纪录的无线功率放大器,为6G通信、卫星互联网等高功率电子设备提供了新的芯片级热管理方案。
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金刚石助力芯片突破散热瓶颈 AI算力进一步打开应用空间
近日,美国麻省理工学院研究团队给氮化镓芯片嵌入一层超薄单晶金刚石,突破了高功率无线芯片散热瓶颈,并制备出性能创纪录的无线功率放大器,为6G通信、卫星互联网等高功率电子设备提供了新的芯片级热管理方案。
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“芯”战升级!中国芯片产业不断突破升级
AI热潮驱动下,全球范围内围绕芯片展开的竞赛也在升温。在面临外部重重压力与限制的情况下,中国芯片产业加大自主创新的力度,不断取得突破。本轮“超级周期”正在深刻重构全球半导体产业版图,中国存储产业不再是“旁观者”或低附加值的“代工者”,而是深度参与价值分配。
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海外光芯片供给持续紧缺 国内厂商正实现群体性突破
财联社5月29日电,算力需求持续井喷,推动数据中心光模块不断向更高速率演进。光通信行业独立研究机构LightCounting于5月28日发布的2025年全球光模块供应商TOP10榜单显示,共有7家中国厂商入围。与制造封装环节的高份额相比,上游核心物料之一的高速率光芯片国产化率仍在低位徘徊。
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当芯片学会“弯腰”:柔性存算一体技术突破登上《自然》期刊
能像创可贴一样贴在皮肤上,实时监测心率、分析健康数据;也能植入机器人关节,在弯折中稳定工作——这些科幻般的场景,如今有了坚实的硬件基础。
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新型图像传感器突破光学极限
Guoan Zheng教授的实验室开发了一种无需镜头即可实现光学超分辨率的新型图像传感器。该设备受捕捉首张黑洞图像的望远镜阵列启发,利用多个传感器协同工作,计算合并观测数据以观察更细致细节。
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车载环境感知传感器计量与测试技术获突破
针对新能源汽车、智能网联汽车及自动驾驶技术快速发展中,车载环境感知传感器面临的计量标准缺失、评测体系不完善等关键瓶颈,市场监管总局近期组织国内技术力量系统攻关,相关项目已在基础参数、核心零部件与整车集成3个层面取得系列突破,为提升车辆环境感知的准确性与可靠性、支撑汽车智能化安全发展提供了坚实技术基础。
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车载环境感知传感器计量与测试技术获突破
22日,记者从市场监管总局获悉,针对新能源汽车、智能网联汽车及自动驾驶技术快速发展中,车载环境感知传感器面临的计量标准缺失、评测体系不完善等关键瓶颈,市场监管总局近期组织国内技术力量系统攻关……
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东芯半导体荣获芯片技术突破奖,助力物联网终端安全
据东芯半导体消息,在2025年12月19日于深圳金茂JW万豪酒店举行的OFweek物联网产业大会上,东芯半导体股份有限公司荣获芯片技术突破奖,并展示了其低功耗、高可靠存储产品,为物联网终端保驾护航。
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我国科学家实现光芯片研究新突破 光芯片短缺或将持续至2026年底
记者从上海交通大学获悉,该校科研人员近日在新一代光计算芯片领域取得突破,首次实现了支持大规模语义媒体生成模型的全光计算芯片。相关成果12月19日发表于《科学》杂志。
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“芯片新势力”RISC-V突破AI算力瓶颈,未来手机电脑都可能用它
12月18日,一场关于未来计算核心的生态大会——“RISC-V生态·武汉创新大会”在光谷举行。你可能没听过RISC-V,但它正悄然改变全球芯片格局,而武汉已走在这场变革的前沿。
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中国AI芯片在推理赛道寻突破
在近期举办的第二十二届中国国际半导体博览会(IC China 2025)上,英特尔公司副总裁、英特尔中国研究院院长宋继强指出,从2025年开始智能体AI的相关算力逐渐攀升,未来会渐渐超过传统训练基座大模型和训练微调大模型的算力,成为驱动AI算力增长的核心动力。
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首次!我国芯片领域取得新突破
光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日,北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术,首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为,指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。
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可批量制造!我国高性能光子芯片领域取得突破
随着集成电路产业发展进入“后摩尔时代”,集成电路芯片性能提升的难度和成本越来越高,人们迫切需要寻找新的技术方案。近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所科研团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片领域取得突破性进展,成功开发出可批量制造的新型“光学硅”芯片。
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可批量制造!我国高性能光子芯片领域取得突破
随着集成电路产业发展进入“后摩尔时代”,集成电路芯片性能提升的难度和成本越来越高,人们迫切需要寻找新的技术方案。近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所科研团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片领域取得突破性进展,成功开发出可批量制造的新型“光学硅”芯片。
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嘉定院所再突破!我国成功研制出这一芯片
近日,嘉定科研院所再获新突破!电子科技大学信息与量子实验室、清华大学,及中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功研制出全球首个氮化镓量子光源芯片。这一突破性进展,不仅为我国在量子通信领域的研究奠定坚实基础,也为全球量子技术的发展注入了新的活力。
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清华大学获芯片领域重要突破!
记者11日从清华大学获悉,针对大规模光电智能计算难题,清华大学电子工程系副教授方璐课题组、自动化系戴琼海院士课题组,摒弃传统电子深度计算范式,另辟蹊径,首创分布式广度光计算架构,研制大规模干涉-衍射异构集成芯片太极(Taichi),实现160 TOPS/W的通用智能计算。
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突破!智能纤维不再依赖芯片电池
一件看似面料普通的衣服,当手指在衣物表面任意滑过,它的“显示区域”就留下了“光的指印”——一个又一个像素点;而织造这件服装的那一根根纤维,摸起来与纺线并无二致,当像蜻蜓点水一样接触到水时,却能被瞬间点亮。