消息称三星电子探索逻辑芯片混合键合，最早2026年推出3D移动处理器

芯物联 4 月 24 日消息，据韩媒 ETNews 报道，三星电子正探索将混合键合技术用于逻辑芯片，最早 2026 年推出采用 3D 封装的 2nm 移动端处理器。混合键合已在 3D NAND 闪存中使用，未来即将用于 HBM4 内存。新项目将是三星首次尝试在逻辑芯片中应用这一键合技术。

三星电子计划增加“MUF”芯片制造技术 生产HBM芯片

据报道，三星电子在半导体制造领域再次迈出重要步伐，计划增加“MUF”芯片制造技术，并专注于生产用于人工智能芯片组的HBM（高带宽内存）芯片。这一决策不仅彰显了三星电子在半导体技术领域的雄心壮志，也预示着人工智能芯片市场将迎来新的竞争格局。

三星电子将美国新工厂生产推迟到2025年，拜登“芯片梦”再遭打击！

三星电子相关负责人在2023年国际电子器件会议上表示，三星电子位于得克萨斯州的芯片厂将于2025年开始大规模生产。三星在2021年宣布这项170亿美元的投资计划时，目标是在2024年下半年实现量产。

三星电子推出全新ToF和全局快门传感器

2023年12月19日，三星电子推出两款ISOCELL影像传感器：ToF（飞行时间）传感器ISOCELLVizion63D和全局快门传感器ISOCELLVizion931。三星ISOCELLVizion系列于2020年首次推出，包括ToF传感器、全局快门传感器，专门用于为下一代移动、商业和工业应用提供视觉支持。