三星美国芯片工厂获准提前运营 竞逐特斯拉AI芯片订单

三星电子已获得临时批准，可先行启动其位于得克萨斯州泰勒市在建芯片工厂的部分运营。这标志着其为特斯拉生产下一代AI芯片的计划迈出实质性一步。

全球首款2nm芯片智能手机来了！三星Galaxy S26系列获FCC认证

三星Galaxy S26系列已通过美国联邦通信委员会（FCC）认证，认证信息显示，其中包含Galaxy S26、Galaxy S26+以及Galaxy S26 Ultra三款机型。 由于认证是面向美国的版本，所以三款新机均搭载骁龙8 Elite Gen 5处理器，支持卫星通信功能。

消息称三星晶圆代工接近获得英特尔 PCH 芯片 8nm 制程订单

《韩国经济日报》当地时间今日报道称，三星电子的晶圆代工部门已接近获得以 8nm 工艺节点为英特尔制造主板 PCH（IT之家注：即平台控制器中枢、芯片组、南桥）芯片的订单。

存储芯片价格飙升，消息称iPhone 17将大幅增加三星DRAM采购比例

据《韩国经济日报》报道，随着存储芯片价格飙升，苹果公司对三星电子的 iPhone 存储芯片的依赖度正显著提升。据报道，受存储芯片价格快速上涨影响，苹果正扩大其 iPhone 存储芯片的三星采购占比。这一供应格局的转变，预计将使三星在 iPhone 17 所使用的低功耗动态随机存取存储器（DRAM）供应中占据约 60% 至 70% 的份额。

2nm芯片之争：三星率先出手，“硬刚”台积电抢生意

伴随着制程工艺的迭代和技术的进步，移动芯片的竞争来到了新的阶段。日前，三星推出全球首款2nm手机芯片Exynos 2600，相比Exynos 2500在CPU、GPU、AI等核心性能上均有显著提升，并已开始量产，计划搭载于明年2月推出的新款旗舰机Galaxy S26上。

三星全球首款2nm芯片Exynos 2600玩“减法”：未集成5G基带

芯物联消息，三星近日发布了其下一代旗舰智能手机芯片 Exynos 2600，这是全球首款采用 2 纳米制程工艺打造的智能手机芯片，但这并非使其与前一代芯片有本质区别的唯一原因，该芯片取消了一项三星此前芯片中均配备的重要功能。

全局快门传感器 三星S27系列影像有望重大升级

虽然三星Galaxy S26系列可能不会配备新规格镜头模组，但我们可以对Galaxy S27系列有所期待，该系列可能会迎来重大镜头升级。

三星第五工厂2028年投产 应对中长期存储芯片需求增长

快科技11月18日消息，据媒体报道，三星近日召开临时经营委员会会议，正式决定启动位于平泽园区第二区的第五生产线（第五工厂）的骨架结构施工。

与 AI6 相同节点：消息称三星版特斯拉 AI5 芯片采用 2nm 工艺

三星电子将在美国得州泰勒厂提前投产2nm工艺，为特斯拉代工AI5芯片，此举或助其赢得更多科技巨头订单并推动AI商机。

三星组建百人工程师团队，争夺英伟达下一代人工智能芯片订单

芯物联 5 月 7 日消息，据韩国科技媒体 KED Global 报道，三星电子为了拿下英伟达下一代人工智能图形处理器 (AI GPU) 的高端内存 (HBM) 订单，组建了一支由约 100 名顶尖工程师组成的“精英团队”，他们一直致力于提高制造产量和质量，首要目标是通过英伟达的测试。

三星宣布即将量产首款 3nm Exynos 芯片

芯物联 5 月 7 日消息，三星电子宣布其首款采用 3nm GAA 工艺（Gate-All-Around，环绕式栅极）的系统级芯片 (SoC) 已完成流片 (taping out)，该芯片有望在未来几个月内实现量产。

三星、美光展开AI时代内存芯片竞速 LPDDR5X新品突破10Gbps

随着人工智能应用的战场逐渐从网页端大模型渗透到“AI PC”和“AI手机”，一场围绕着移动端高速内存的战争已经打响。存储芯片巨头三星电子周三发布公告称，公司开发出了“业界最快”的LPDDR5X存储芯片，速度能够达到10.7Gbps，并在内存容量、能耗等指标上也刷新了业界标准。

2nm工艺、HBM芯片都要搞 美国授予三星至多64亿美元建厂补贴

当地时间周一，美国商务部国家标准及技术研究所官网贴出声明，宣布与韩国三星电子达成一项初步协议，依据美国《芯片法案》提供至多64亿美元的直接补贴。作为全球唯一一家同时在存储芯片和逻辑芯片领域均处于领跑集团的公司，三星计划在未来几年内斥资超400亿美元，建立一整套半导体研发和生产生态。

消息称三星获英伟达 AI 芯片 2.5D 封装订单

芯物联 4 月 8 日消息，据韩国电子行业媒体TheElec报道，三星电子成功拿下了英伟达的 2.5D 封装订单。消息人士透露，三星的先进封装 (AVP) 团队将为英伟达提供 Interposer（中间层）和 I-Cube，这是其自主研发的 2.5D 封装技术，高带宽内存 (HBM) 和 GPU 晶圆的生产将由其他公司负责。

Arm 和三星合作开发下一代 2nm 芯片

IP开发商和代工厂之间的设计协作对于最大限度地提高电路性能和功耗至关重要。2月21日，Arm 和三星宣布，他们将共同优化 Arm 下一代高性能 Cortex-X 和 Cortex-A 内核的设计，以用于三星即将推出的工艺技术，这些技术依赖于全环绕栅极 （GAA） 多桥通道 FET （MBCFET） 晶体管。